Оскільки напівпровідники з широкою забороненою зоною продовжують стимулювати інновації в силовій електроніці та вдосконалене зростання кристалів, 6N високочистий α-форма карбіду кремнію (SIC) став a
Карбід кремнію (SIC) став одним із найважливіших напівпровідникових матеріалів для майбутнього силової електроніки, РЧ/мікрохвильові пристрої, і широкозонні технології. Серед
Оскільки світова напівпровідникова промисловість зміщується в бік підвищення ефективності та надійності, карбід кремнію електронного класу (SIC) порошок став ключовим матеріалом, що дозволяє наступне
info@superior-abrasives.com
+86- 371- 6389 8989
№68 Zhengtong Road, Чженчжоу, Хенан, Китай
