Mentre l’industria globale dei semiconduttori si sposta verso una maggiore efficienza e affidabilità, carburo di silicio di grado elettronico (Sic) la polvere è diventata un materiale chiave che consente la prossima generazione di dispositivi di potenza e ad alta frequenza. Con la sua conduttività termica superiore, ampio gap di banda, e stabilità chimica, Il SiC è ora la base per Wafer SiC, MOSFET, Diodi Schottky (SBD), e dispositivi RF.
Henan Superior Abrasives (HSA) è un fornitore professionale di polvere di carburo di silicio ad elevata purezza per applicazioni elettroniche, offrendo gradi personalizzati per soddisfare le esigenze di crescita dei wafer, ceramica sinterizzata, e materiali per la gestione termica.
Cos'è la polvere di carburo di silicio di grado elettronico?
La polvere SiC di grado elettronico si riferisce alla purezza ultraelevata (≥99,99%) carburo di silicio prodotto in condizioni rigorosamente controllate. Rispetto al normale SiC industriale, le caratteristiche del materiale di grado elettronico:
- Contenuto di impurità estremamente basso (Fe, Al, Ca < 10 ppm);
- Granulometria uniforme (D50: 0.3–5 µm);
- Stabile α-SIC (4H o 6H) O β-SIC (3C) struttura cristallina;
- Eccellenti proprietà termiche ed elettriche.
Tale polvere funge da materia prima per i wafer epitassiali SiC, substrati semiconduttori, elettronica di potenza, e materiali di interfaccia termica (TIM).
I nostri prodotti
Polvere di carburo di silicio tipo N (SiC di tipo N)
Caratteristiche
Quando l'azoto (N) viene introdotto nel reticolo SiC, sostituisce parte degli atomi di carbonio, formando SiC conduttivo di tipo n.
Questo processo di doping in modo efficace:
- Riduce la resistività e migliora la conduttività elettrica;
- Mantiene un'elevata conduttività termica e durezza meccanica;
- Fornisce un'eccellente resistenza all'ossidazione;
- È tipicamente formato in strutture cristalline esagonali 6H o 4H.
Principali applicazioni
(1) Dispositivi elettronici di potenza
Il SiC di tipo N è ampiamente utilizzato in MOSFET SiC, Diodi a barriera Schottky (SBD), e altri componenti di potenza.
Il doping regola la concentrazione del portatore, migliorando significativamente la conduttività nello stato attivo e l'efficienza di commutazione.
(2) Ceramica conduttiva
Serve come materiale conduttivo stabile per gli elementi riscaldanti, elettrodi, e canne, garantendo prestazioni affidabili alle alte temperature.
(3) Materiali di interfaccia termica (TIM)
Grazie alla sua elevata conduttività termica, Il SiC di tipo N viene utilizzato anche come riempitivo nei materiali di interfaccia termica per migliorare la dissipazione del calore nei moduli di potenza e nelle CPU.
Polvere intrinseca di carburo di silicio (SiC non drogato)
Caratteristiche
SiC intrinseco, noto anche come SiC non drogato, è un puro, semiconduttore stechiometrico senza impurità intenzionali.
Lo dimostra:
- Elevata resistività elettrica;
- Eccellente stabilità strutturale e purezza chimica;
- Può esistere in entrambe le fasi α (esagonale) e fase β (cubo) strutture.
Principali applicazioni
(1) Ceramica meccanica e strutturale
Il SiC intrinseco offre elevata durezza e straordinaria resistenza all'usura, rendendolo ideale per i cuscinetti, ugelli, e anelli di tenuta meccanica.
(2) Materiali refrattari
Con superba stabilità alle alte temperature e resistenza all'ossidazione, Il SiC intrinseco viene utilizzato nei mobili dei forni, crogioli, e applicazioni metallurgiche.
(3) Finestre ottiche e a infrarossi
La sua elevata trasparenza e stabilità termica ne consentono l'uso nell'ottica a infrarossi, specchi, e sistemi di osservazione aerospaziale.
Polvere semiisolante di carburo di silicio (SiC semiisolante)
Caratteristiche
Il SiC semiisolante è progettato per applicazioni ad alta resistività (>10⁹ Ω·cm).
Ciò si ottiene controllando attentamente le impurità di compensazione (PER ESEMPIO., vanadio (V), boro (B), o carbonio in eccesso) durante la sintesi.
Il risultato è un'elevata purezza, materiale SiC elettricamente isolante con:
- Eccellenti proprietà dielettriche;
- Bassa corrente di dispersione;
- Prestazioni stabili ad alta tensione e frequenza.
Principali applicazioni
(1) Substrati per dispositivi RF e microonde
Il SiC semiisolante funge da substrato ideale per i dispositivi GaN-on-SiC, riducendo significativamente la capacità parassita e la perdita di energia.
È ampiamente applicato nelle stazioni base 5G, sistemi radar, e comunicazione satellitare.
(2) Energia Semiconduttore Substrati isolanti
Utilizzato come strato isolante in alta tensione, componenti elettronici ad alta frequenza, consentendo un funzionamento stabile e una ridotta dissipazione di potenza.
(3) Packaging di circuiti ad alta frequenza
Combina un'elevata resistività con una buona conduttività termica, fornendo prestazioni bilanciate per materiali di imballaggio RF avanzati.
Polvere cubica di carburo di silicio (3C-SiC)
Caratteristiche
SiC cubico, noto anche come β-SiC, presenta una miscela di zinco (3C) struttura cristallina.
Ha una stretta corrispondenza reticolare con il silicio, consentendone la crescita epitassiale su substrati di Si.
Le caratteristiche principali includono:
- Temperatura di crescita più bassa (~1600°C);
- Bandgap di ~2,3 eV (leggermente più piccolo di 4H/6H-SiC);
- Conduttività termica e campo di degradazione moderati;
- Ottima resistenza meccanica.
Principali applicazioni
(1) Circuiti integrati e dispositivi MEMS
3Il C-SiC può essere coltivato su wafer di silicio, riducendo i costi di produzione.
È ideale per sensori microelettromeccanici ad alta temperatura come sensori di pressione o di accelerazione.
(2) Elettronica per alte temperature
Mantiene il funzionamento stabile sopra 300 °C, adatto per motori automobilistici e sistemi di monitoraggio aerospaziale.
(3) Dispositivi optoelettronici
Utilizzato nei LED e nei fotorilevatori UV, beneficiando della sua trasparenza e delle proprietà dei semiconduttori.
Vantaggi del SiC di grado elettronico
| Proprietà | Beneficio |
|---|---|
| Ampia bandgap (3.2 EV) | Consente il funzionamento ad alta tensione e ad alta temperatura |
| Alta conduttività termica | Dissipazione del calore superiore per i dispositivi di potenza |
| Alta durezza & Stabilità | Eccellente durabilità meccanica e chimica |
| Resistenza alle radiazioni | Ideale per l'elettronica aerospaziale e della difesa |
| Bassa densità di difetti | Migliora la resa e l'affidabilità del dispositivo |
Queste proprietà rendono il SiC il materiale di substrato preferito per i sistemi energetici di prossima generazione, veicoli elettrici, e tecnologie della comunicazione.
Fornitura di polvere SiC di grado elettronico di HSA
Henan Superior Abrasives (HSA) fornisce polveri SiC personalizzate di grado elettronico progettate per diversi requisiti dei dispositivi:
| Grado | Applicazione | Purezza | Struttura |
|---|---|---|---|
| SiC di tipo N | Wafer SiC & MOSFET | 99.999% | 4H/6H |
| Intrinseco | Ceramica strutturale | 99.9% | α-SIC |
| Semiisolante | Substrati GaN su SiC | 99.99% | 4H |
| 3C-SiC | MEMS, circuiti integrati | 99.9% | β-SIC |
Vantaggi dell'HSA
- Purezza fino a 6N (99.9999%)
- Granulometria controllata (0.3–5 µm)
- Rapporti di analisi delle impurità ICP
- Imballaggio OEM e supporto tecnico
Domande frequenti sulla polvere di carburo di silicio di grado elettronico
A cosa serve il carburo di silicio di tipo N?
Il SiC di tipo N viene utilizzato principalmente in dispositivi a semiconduttore di potenza come MOSFET e diodi Schottky. Il drogaggio con azoto introduce conduttività di tipo n, abbassando la resistività e migliorando il flusso di corrente, che migliora l'efficienza del dispositivo e la velocità di commutazione.
Qual è la differenza tra il carburo di silicio 4H e 6H?
Sia 4H-SiC che 6H-SiC sono strutture cristalline esagonali, ma differiscono nella sequenza di impilamento e nelle proprietà elettriche.
- 4H-SiC ha una maggiore mobilità degli elettroni, rendendolo preferito per i dispositivi di potenza.
- 6H-SiC offre una conduttività termica leggermente migliore, adatto per applicazioni meccaniche e ad alta temperatura.
Ciò che rende unico il SiC semiisolante?
Il SiC semiisolante ha una resistività molto elevata (>10⁹ Ω·cm) ottenuto attraverso la compensazione controllata delle impurità. Fornisce un eccellente isolamento elettrico con una buona conduttività termica, ideale per RF, microonde, e substrati di isolamento ad alta tensione.
In cosa differisce il 3C-SiC dal SiC di tipo α?
3C-SiC (Fase β) ha una struttura cristallina cubica e può essere coltivato direttamente su wafer di silicio, riducendo i costi.
Al contrario, SiC di tipo α (4H/6H) si forma a temperature più elevate e ha una banda proibita più ampia e una migliore resistenza alla rottura, rendendolo superiore per i dispositivi ad alta potenza.
Perché scegliere HSA come fornitore di polvere SiC?
Henan Superior Abrasives (HSA) offre polvere SiC di grado elettronico uniforme e di elevata purezza con rapporti di qualità tracciabili e personalizzazione flessibile. Con gradi dal tipo N al semiisolante, HSA supporta i clienti nel settore dei semiconduttori, ceramica, e industrie optoelettroniche in tutto il mondo.
Fornitore di polvere di carburo di silicio di grado elettronico
Poiché i dispositivi basati su SiC continuano a rimodellare il futuro dell'elettronica di potenza, comunicazione, e sistemi energetici, la domanda di polvere di carburo di silicio di grado elettronico di alta qualità continuerà a crescere.
Con tecnologia di elaborazione avanzata e rigoroso controllo di qualità, Henan Superior Abrasives (HSA) si pone come fornitore di fiducia, fornendo tipo N, intrinseco, semiisolante, e polveri 3C-SiC adattate alle esigenze in evoluzione dei produttori globali di semiconduttori.
E-mail: sales@superior-abrasives.com
