Alors que les semi-conducteurs à large bande interdite continuent de stimuler l’innovation dans le domaine de l’électronique de puissance et de la croissance avancée des cristaux, 6Carbure de silicium de forme α de haute pureté (SiC) est devenue une matière première essentielle. Avec un niveau de pureté de 99.9999%, ce matériau est spécialement conçu pour répondre aux exigences exigeantes des technologies de semi-conducteurs de troisième génération et des applications de croissance cristalline haut de gamme.

Qu'est-ce que le SiC de forme α de haute pureté 6N?

Carbure de silicium (SiC) existe dans plusieurs polytypes. Parmi eux, α-SiC fait référence aux structures cristallines hexagonales (tel que 4H-SiC et 6H-SiC), qui sont thermodynamiquement stables à haute température et largement utilisés pour la croissance de monocristaux.

6N haute pureté signifie que la teneur totale en impuretés est extrêmement faible, généralement mesuré en parties par million (ppm) ou parties par milliard (ppb). Cette ultra-haute pureté est essentielle car même des traces d'impuretés peuvent avoir un impact significatif sur:

• Conductivité électrique
• Concentration de porteurs
• Densité des défauts cristallins
• Performances globales de l'appareil

Pour cette raison, 6La poudre de N α-SiC est principalement utilisée comme matériau source pour le transport physique de vapeur. (PVT) croissance cristalline.

Pourquoi la haute pureté est importante dans la croissance des cristaux SiC

En croissance monocristalline SiC, la qualité de la matière première détermine directement la qualité finale de la plaquette. α-SiC de haute pureté offres:

• Comportement de sublimation stable pendant la croissance du PVT
• Réduire le dopage involontaire, améliorer le contrôle de la résistivité
• Défauts cristallins réduits, comme les microtuyaux et les luxations
• Rendement et cohérence plus élevés dans la production de plaquettes

Cela rend le α-SiC 6N indispensable à la croissance des cristaux conducteurs et semi-isolants..

SiC de forme α 6N de type N

Définition et caractéristiques

Le SiC de type N contient des quantités soigneusement contrôlées d'impuretés donneuses, le plus souvent de l'azote (N) ou du phosphore (P). Ces éléments introduisent des électrons supplémentaires dans le réseau cristallin, permettant la conductivité électrique.

Les caractéristiques clés comprennent:

• Concentration électronique contrôlée
• Comportement électrique stable et prévisible
• Haute compatibilité avec les dispositifs à semi-conducteurs de puissance

Principales applications

L'α-SiC de type N 6N est principalement utilisé pour:

• Croissance de monocristaux conducteurs de SiC
• Production de substrats pour semi-conducteurs de troisième génération
• Appareils électriques, tel que:
  • MOSFET
  • Diodes à barrière Schottky (SMD)
  • Appareils haute tension et haute fréquence

Grâce à sa large bande interdite, haute conductivité thermique, et champ de panne élevé, Le SiC de type N permet aux appareils de fonctionner à des températures plus élevées, tensions, et des efficacités que le silicium traditionnel.

Semi-Isolant (ET) 6SiC de forme N α

Définition et principe d'ingénierie

SiC semi-isolant est conçu pour bloquer le flux de courant. Contrairement au SiC de type N, le but ici n'est pas la conductivité, mais résistivité extrêmement élevée.

Ceci est réalisé par:

• Compensation des impuretés donneurs et accepteurs
• Minimiser la concentration de porteurs libres
• Contrôler soigneusement les défauts profonds

Le résultat est un matériau avec une résistivité typique supérieur à 10⁵–10⁹ Ω·cm.

Principales applications

L'α-SiC 6N semi-isolant est largement utilisé pour:

• Croissance de monocristaux de SiC semi-isolants
• Appareils haute fréquence et RF, tel que:
  • Substrats RF GaN-sur-SiC
  • Appareils à micro-ondes et à ondes millimétriques

• Lingots de cristal de morganite et autres applications spécialisées en matière de croissance cristalline

La haute résistivité du SI-SiC minimise la conduction parasite et la perte de signal, ce qui le rend idéal pour électronique haute puissance et haute fréquence.

Type N vs. SiC semi-isolant: Différences clés

https://www.silicon-carbides.com/blog/the-difference-between-n-type-and-semi-insulated-sic.html

Conclusion

6N SiC de forme α de haute pureté est un matériau de base pour les industries avancées de semi-conducteurs et de croissance cristalline. En adaptant le contrôle des impuretés et les propriétés électriques, il peut être fourni en type N ou semi-isolant, chacun remplissant des rôles distincts et critiques.

• SiC de type N soutient la croissance rapide des semi-conducteurs de puissance de troisième génération.
• SiC semi-isolant permet la haute fréquence, RF, et applications de cristaux spéciaux où une résistivité ultra-élevée est essentielle.

Alors que la demande en électronique haute performance continue de croître, 6L’α-SiC de haute pureté restera un élément clé des technologies de nouvelle génération.

Notre capacité d'approvisionnement

Abrasifs supérieurs du Henan peut fournir du SiC de forme α de haute pureté de type N et semi-isolant 6N, spécialement conçu pour les applications avancées de croissance de monocristaux. Avec un contrôle strict de la pureté des matières premières, niveaux de dopants, et la cohérence des lots, nos matériaux SiC répondent aux exigences exigeantes de la croissance des cristaux SiC conducteurs et semi-isolants.

Nous offrons une qualité stable, caractéristiques électriques personnalisées, et un approvisionnement fiable pour soutenir les clients dans le domaine des semi-conducteurs de troisième génération, Appareil RF, et fabrication de cristaux spécialisés.