エレクトロニクスにおける炭化ケイ素の特性と応用

SiC高周波デバイス

炭化ケイ素, カーボランダムとしても知られています, 化学式SiCを持つシリコンと炭素の化合物です。. そのユニークな特性により、エレクトロニクス産業において重要な材料となっています。, さまざまな用途に最適です. 記事上で, we will explore the properties and applications of silicon carbide in electronics […]

米国の炭化ケイ素サプライヤー

HSA グリーン炭化ケイ素はばら積み貨物船に積み込まれ、米国に送られます

炭化ケイ素 (SiC) さまざまな産業で幅広い用途を持つ汎用性と耐久性の高い材料です。. 物理的および化学的特性の独自の組み合わせ, 高熱伝導率など, 熱安定性, 耐摩耗性と耐薬品性, 耐火材料の製造に不可欠な成分にする, 研磨剤, セラミック, […]

カーボランダムパウダー: 包括的なガイド

カーボランダムパウダー

カーボランダムパウダー, 炭化ケイ素とも呼ばれます, は、その独自の特性と特性により、幅広い産業用途で一般的に使用されている合成材料です。. 記事上で, カーボランダム粉末を詳しく見ていきます, その特性, 用途, そして、今日の多くの業界でなぜそれが重要なのか. 何 […]

炭化ケイ素 (SiC) MOSFET

炭化ケイ素 (SiC) MOSFET

炭化ケイ素 (SiC) MOSFETは、金属酸化物半導体電界効果トランジスタの一種です (MOSFET) 炭化ケイ素材料を使用して作られています. この材料は広いバンドギャップを持っています, 高い熱伝導率, 高耐圧, ハイパワーの理想的な選択肢です。, 高温, および高周波アプリケーション. SiC MOSFET は、従来のシリコンと比較していくつかの利点を提供します (と) MOSFET, 含む […]

炭化ケイ素は酸化アルミニウム研磨よりも優れていますか?

炭化ケイ素および酸化アルミニウムの紙やすりで磨く研摩剤

サンディングは、さまざまな製造および修理プロセスの重要な側面です. サンディング研磨剤は、材料を除去するために使用されます, 表面を滑らかにし、均一な表面を作成します. 研磨剤にはいくつかの種類があります, それぞれに独自の利点と制限があります. Two of the most common abrasives are silicon carbide and aluminum oxide. このブログでは, […]

炭化ケイ素セラミック防弾装甲保護材料

炭化ケイ素セラミック ボディ アーマー

防弾チョッキは一人の兵士の防弾チョッキです, 弾頭や破片から人体を守るために使用される. ボディアーマーは主に2つのパーツで構成されています: ジャケットと防弾層. ジャケットは化学繊維生地で作られることが多い; 防弾層は金属でできています (特殊鋼, アルミニウム合金, チタン合金), セラミック […]

炭化ケイ素の用途は何ですか?

太陽電池

炭化ケイ素, カーボランダムとしても知られています, シリコンと炭素原子で構成される半導体材料です. 高い熱伝導率などの独自の特性により、さまざまな産業で幅広い用途があります。, 高導電率, 高い機械的強度, 高い耐薬品性, および高い熱安定性. Electronic devices One of the […]

サビ取り用黒色炭化ケイ素

サビ取り用黒色炭化ケイ素

Black silicon carbide is a very effective rust removal tool. Silicon carbide is a hard, sharp abrasive that has been used in sandblasting and other industrial applications for many years. It’s also a popular choice for rust removal because it’s very efficient and can quickly remove rust from surfaces. Silicon carbide is usually black, しかし […]

ニーズに合った適切な炭化ケイ素耐火物を選択する方法

炭化ケイ素耐火物プロジェクト

炭化ケイ素耐火物とは? 炭化ケイ素 (SiC) コンピューターで使用される集積回路の製造に使用される硬質セラミック材料です。, 携帯電話, およびその他の電子機器. 炭化ケイ素耐火物は、高温耐性と耐久性のある耐火物を作成するために使用される材料です. It is produced from silicon carbide at 2500°C […]